單晶硅退火設備:單晶硅退火爐
單晶硅為什么需要退火？
在450℃左右，硅中的氧會轉化為氧施主，對電阻率的正確測量帶來影響。使P型單晶硅電阻率升高，甚至反型；使N型單晶硅電阻率降低。單晶硅在700℃左右退火處理，可以使氧施主回到間隙氧狀態(tài)，消除氧施主對電阻率測試的影響。單晶硅退火工藝
1.1單晶硅退火工藝流程
1.2單晶硅退火工序內(nèi)容單晶硅退火工序包括退火工藝以及熱氧化工藝。
1.3退火工藝簡介退火是一種材料熱處理工藝，指的是將材料緩慢加熱到一定溫度，保持足夠時間，然后以適宜速度冷卻。目的是降低硬度，改善切削加工性；消除殘余重力，穩(wěn)定尺寸，減少變形與裂紋傾向；細化晶粒，調(diào)整組織，消除組織缺陷。
1.4硅熱氧化工藝介紹硅(Si)與含有氧化物質(zhì)的氣體，例如水汽和氧氣在高溫下進行化學反應，而在硅片表面產(chǎn)生一層致密的二氧化硅(SiO2)薄膜。這是硅平面技術中一項重要的工藝。
1.5硅熱氧化工藝原理
a.將硅片置于用石英玻璃制成的反應管中，反應管用電阻絲加熱爐加熱一定溫度(常用的溫度為900～1200℃，在特殊條件下可降到600℃以下)，氧氣通過反應管時，在硅片表面發(fā)生化學反應：Si(固態(tài))+O2(氣態(tài))→SiO2(固態(tài))
2.單晶硅退火的作用
2.1在高溫擴散中形成許多缺陷，如空位、填隙原子、位錯、層錯、雜質(zhì)誘生缺陷等，經(jīng)過退火作用，可以對晶格缺陷起到修復作用，減少了復合中心。
2.2高溫磷擴散，硅片表面堆積過多磷原子，退火可以激活更多磷原子，降低表面濃度，減少表面“死層”；2.3對Si-SiO2界面懸掛鍵有一定修復作用,減少Si-SiO2界面懸掛鍵，減少界面態(tài)密度，提高氧化層鈍化效果；
2.4提高少子壽命，提高電池效率。
3.雜質(zhì)耗盡與雜質(zhì)堆積
3.1摻雜濃度與SiO2的關系
4.SiO2在晶硅電池上的應用
4.1在刻蝕之后，鍍膜之前在硅片表面生長一層Si02；
a.生長Si02主要方法：臭氧，化學氧化；b.Si02厚度：幾納米；c.Si02質(zhì)量檢測：水滴親水性檢測。4.2Si02主要作用1.由于硅片表面存在大量懸掛鍵，Si02可對表面懸掛鍵起到很好的鈍化作用，鈍化效果好于氮化硅；
2.抗PID效果：組件在使用過程中會發(fā)生電位誘發(fā)衰減現(xiàn)象，稱為PID。目前認為，在高溫高濕條件下，組件邊框對電池片正高壓，玻璃中的Na+離子遷移到電池表面引起電池失效是主要因素。在電池表面生長致密的二氧化硅層可以有效阻擋Na+向電池片遷移，可以起到很好的抗PID效果。
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