PECVD系統(tǒng)設(shè)備:1200度管式爐
PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109/1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10/100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有點，工藝流程簡單。? ? PECVD小型滑動開啟式管式爐系統(tǒng)通過滑動爐體來實現(xiàn)快速的升降溫，配置不同的真空系統(tǒng)來達到不錯的真空度；同時通過多路高精度質(zhì)量流量計控制不同氣體。是實驗室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復(fù)合薄膜等的不錯選擇。
PECVD系統(tǒng)設(shè)備廠家：洛陽西格馬高溫電爐可生產(chǎn)PECVD系統(tǒng)設(shè)備。
SGM PECVD系統(tǒng)配置組成：
1.1200度開啟式滑動單溫區(qū)真空管式爐
2.等離子射頻電源
3.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)
4.真空系統(tǒng)
PECVD設(shè)備主要用途：
高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復(fù)合薄膜等，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。
PECVD設(shè)備技術(shù)參數(shù)：
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爐體結(jié)構(gòu) |
雙層爐殼間配有風(fēng)冷系統(tǒng)，表面溫度低； 爐子底部裝有一對滑軌，移動平穩(wěn) 爐子可以手動從一端滑向另一端，實現(xiàn)快速的加熱和冷卻 爐蓋可開啟設(shè)計，可以實時觀察加熱的物料、更換爐管便捷 |
| 管式爐名稱 | 西格馬SGM 1200度開啟式管式爐 |
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加熱系統(tǒng) |
加熱元件采用質(zhì)合金絲0Cr27Al7Mo2，表面負荷高、經(jīng)久耐用 額定溫度：1200℃ 工作溫度：≤1100℃
加熱區(qū)長度：300mm 恒溫區(qū)長度：200mm 推薦升溫速率：10℃/min |
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溫控系統(tǒng) |
溫度控制采用人工智能調(diào)節(jié)技術(shù)，具有PID調(diào)節(jié)、自整定功能 30段升降溫程序 測溫元件：K型熱電偶 恒溫精度：±1℃ |
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電源 |
電壓：AC220V 50/60Hz；功率：4KW |
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爐管 |
高純石英管 尺寸：Φ60*1250mm、Φ80*1250mm、Φ80*1250mm |
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法蘭及支撐 |
SUS304不銹鋼法蘭，通過用硅橡膠“O”型圈緊密密封 通過KF卡箍完成法蘭的連接，放、取物料方便快捷 可調(diào)節(jié)的法蘭支撐架，平衡爐管的受力情況 包含進氣、出氣、真空抽口針閥，KF密封圈及卡箍組合
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供氣系統(tǒng) |
標(biāo)準量程：100，200?，500，1000SCCM；?（以氮氣標(biāo)定，除以上標(biāo)準外量程可選） 準確度：±1.5% 線性：±0.5～1.5%F.S. 重復(fù)精度：±0.2%F.S. 響應(yīng)時間：氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec 工作壓差范圍：0.1～0.5 MPa 額定壓力：3MPa 接頭類型：Φ6,1/4''雙卡套不銹鋼接頭 顯示：4位數(shù)字顯示 流量規(guī)格：0~500sccm 流量精度：±1.5% |
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高真空真空系統(tǒng) |
機械泵
電阻規(guī) |
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射頻電源系統(tǒng) |
輸出功率:5-500W? 功率穩(wěn)定度：±0.1% 射頻電源頻率:13.56MHz?穩(wěn)定性±0.005%? 額定反向功率:200W?????? 射頻接口:???????50?Ω,?N-type 冷卻:風(fēng)冷 電源:AC187-253V?50/60Hz 輸入功率：1KW??AC?220V |
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