PECVD系統(tǒng)設(shè)備:1200度管式爐
PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109/1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10/100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有點，工藝流程簡單。? ? PECVD小型滑動開啟式管式爐系統(tǒng)通過滑動爐體來實現(xiàn)快速的升降溫，配置不同的真空系統(tǒng)來達到不錯的真空度；同時通過多路高精度質(zhì)量流量計控制不同氣體。是實驗室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等的不錯選擇。
PECVD系統(tǒng)設(shè)備廠家：洛陽西格馬高溫電爐可生產(chǎn)PECVD系統(tǒng)設(shè)備。
SGM PECVD系統(tǒng)配置組成：
1.1200度開啟式滑動單溫區(qū)真空管式爐
2.等離子射頻電源
3.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)
4.真空系統(tǒng)
PECVD設(shè)備主要用途：
高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。
PECVD設(shè)備技術(shù)參數(shù)：
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爐體結(jié)構(gòu) |
雙層爐殼間配有風冷系統(tǒng)，表面溫度低； 爐子底部裝有一對滑軌，移動平穩(wěn) 爐子可以手動從一端滑向另一端，實現(xiàn)快速的加熱和冷卻 爐蓋可開啟設(shè)計，可以實時觀察加熱的物料、更換爐管便捷 |
| 管式爐名稱 | 西格馬SGM 1200度開啟式管式爐 |
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加熱系統(tǒng) |
加熱元件采用質(zhì)合金絲0Cr27Al7Mo2，表面負荷高、經(jīng)久耐用 額定溫度：1200℃ 工作溫度：≤1100℃
加熱區(qū)長度：300mm 恒溫區(qū)長度：200mm 推薦升溫速率：10℃/min |
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溫控系統(tǒng) |
溫度控制采用人工智能調(diào)節(jié)技術(shù)，具有PID調(diào)節(jié)、自整定功能 30段升降溫程序 測溫元件：K型熱電偶 恒溫精度：±1℃ |
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電源 |
電壓：AC220V 50/60Hz；功率：4KW |
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爐管 |
高純石英管 尺寸：Φ60*1250mm、Φ80*1250mm、Φ80*1250mm |
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法蘭及支撐 |
SUS304不銹鋼法蘭，通過用硅橡膠“O”型圈緊密密封 通過KF卡箍完成法蘭的連接，放、取物料方便快捷 可調(diào)節(jié)的法蘭支撐架，平衡爐管的受力情況 包含進氣、出氣、真空抽口針閥，KF密封圈及卡箍組合
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供氣系統(tǒng) |
標準量程：100，200?，500，1000SCCM；?（以氮氣標定，除以上標準外量程可選） 準確度：±1.5% 線性：±0.5～1.5%F.S. 重復精度：±0.2%F.S. 響應(yīng)時間：氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec 工作壓差范圍：0.1～0.5 MPa 額定壓力：3MPa 接頭類型：Φ6,1/4''雙卡套不銹鋼接頭 顯示：4位數(shù)字顯示 流量規(guī)格：0~500sccm 流量精度：±1.5% |
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高真空真空系統(tǒng) |
機械泵
電阻規(guī) |
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射頻電源系統(tǒng) |
輸出功率:5-500W? 功率穩(wěn)定度：±0.1% 射頻電源頻率:13.56MHz?穩(wěn)定性±0.005%? 額定反向功率:200W?????? 射頻接口:???????50?Ω,?N-type 冷卻:風冷 電源:AC187-253V?50/60Hz 輸入功率：1KW??AC?220V |
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